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AH477Z4-BE1 参数 Datasheet PDF下载

AH477Z4-BE1图片预览
型号: AH477Z4-BE1
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内容描述: 单相霍尔效应锁存 [SINGLE PHASE HALL EFFECT LATCH]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 370 K
品牌: BCDSEMI [ BCD SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LIMITED ]
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数据表
单相霍尔效应锁存
典型性能特性(续)
100
80
60
40
AH477
70
60
50
40
B
OP
/B
RP
/B
HYS
( GS )
B
OP
/B
RP
/B
HYS
( GS )
20
0
-20
-40
-60
-80
-100
4
6
8
10
12
14
30
20
10
0
-10
-20
-30
-40
B
OP
B
RP
B
HYS
T
A
=25 C
16
18
20
o
B
OP
B
RP
B
HYS
V
CC
=14V
-20
-10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
V
CC
(V)
T
A
( C)
o
图8. B
OP
/B
RP
/B
HYS
vs.Supply电压
科幻gure
9.
B
OP
/B
RP
/B
HYS
- 环境温度
1000
900
800
700
600
1000
900
800
700
V
SAT
(毫伏)
500
400
300
200
100
0
50
V
SAT
-UP
V
SAT
-down
T
A
=25 C
o
V
SAT
(毫伏)
600
500
400
300
200
100
司机
SINK
I
O
=200mA
100
150
200
250
300
350
0
-20
0
20
40
60
80
I
O
(MA )
T
A
( C)
o
图10. V
SAT
与我
O
图11. V
SAT
- 环境温度
2009年10月修订版1.3
7
BCD半导体制造有限公司