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    AH477Z4-BE1 参数 Datasheet PDF下载

    AH477Z4-BE1图片预览
    型号： AH477Z4-BE1
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 单相霍尔效应锁存 [SINGLE PHASE HALL EFFECT LATCH]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 10 页 / 370 K
    品牌： BCDSEMI [ BCD SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LIMITED ]
     浏览型号AH477Z4-BE1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AH477Z4-BE1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AH477Z4-BE1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AH477Z4-BE1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AH477Z4-BE1的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AH477Z4-BE1的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AH477Z4-BE1的Datasheet PDF文件第9页浏览型号AH477Z4-BE1的Datasheet PDF文件第10页  
    数据表
    单相霍尔效应锁存
    磁滞特性
    AH477
    14
    14
    12
    12
    10
    10
    DO输出（ V）
    DOB输出（ V）
    -100
    -50
    0
    50
    100
    8
    8
    6
    6
    4
    4
    2
    2
    0
    0
    -100
    -50
    0
    50
    100
    磁（ GS ）
    磁（ GS ）
    科幻gure
    4.
    DO输出与磁
    科幻gure
    5.
    DOB输出与磁
    典型性能特性
    16
    20
    14
    16
    12
    12
    I
    CC
    （MA ）
    10
    I
    CC
    （MA ）
    8
    8
    4
    6
    T
    A
    =25 C
    o
    V
    CC
    =14V
    4
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    12
    14
    16
    18
    20
    -20
    0
    20
    40
    60
    80
    V
    CC
    (V)
    T
    A
    ( C)
    o
    图6.电源电流与电源电压
    图7.电源电流与环境温度
    2009年10月修订版1.3
    6
    BCD半导体制造有限公司

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