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AH477Z4-BE1 参数 Datasheet PDF下载

AH477Z4-BE1图片预览
型号: AH477Z4-BE1
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内容描述: 单相霍尔效应锁存 [SINGLE PHASE HALL EFFECT LATCH]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 370 K
品牌: BCDSEMI [ BCD SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LIMITED ]
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数据表
单相霍尔效应锁存
电气特性
(T
A
=25
o
C,V
CC
= 14V ,除非另有规定)
参数
输出饱和电压(汇)
输出饱和电压(驱动器)
电源电流
输出上升时间
输出下降时间
切换时间差
V
SAT
I
CC
tr
tf
∆t
符号
测试条件
V
CC
= 14V ,我
O
=200mA
V
CC
= 14V ,我
O
=200mA
V
CC
= 20V ,输出开路
R
L
=820Ω, C
L
=20pF
R
L
=820Ω, C
L
=20pF
R
L
=820Ω, C
L
=20pF
V
CC
-
1.5
典型值
0.25
V
CC
-
1.0
14
3.0
0.3
3.0
最大
0.8
V
CC
25
10
1.5
10
单位
V
V
mA
µs
µs
µs
AH477
磁特性
(T
A
=25
o
C)
参数
工作点
释放点
迟滞
符号
B
OP
B
RP
B
HYS
GRADE
A
B
A
B
-70
-100
70
5
典型值
最大
70
100
-5
单位
高斯
高斯
高斯
高斯
高斯
测试电路
AH477
S
侧面标
V
CC
V
CC
DO DOB GND
1
2
3
4
C1
0.1µF
820Ω
N
2009年10月修订版1.3
5
BCD半导体制造有限公司