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AH266_07 参数 Datasheet PDF下载

AH266_07图片预览
型号: AH266_07
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内容描述: 高压霍尔效应锁存 [HIGH VOLTAGE HALL EFFECT LATCH]
分类和应用: 高压
文件页数/大小: 11 页 / 190 K
品牌: BCDSEMI [ BCD SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LIMITED ]
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Data Sheet
HIGH VOLTAGE HALL EFFECT LATCH
Typical Performance Characteristics (Continued)
AH266
6
1200
5
V
CC
=4V
V
CC
=14V
V
CC
=24V
V
SAT
(mV)
1100
V
CC
=24V
I
O
=300mA
1000
4
I
CC
(mA)
900
3
800
2
700
1
600
0
-20
0
20
o
40
60
80
500
-20
0
20
o
40
60
80
T
A
( C)
T
A
( C)
Figure 11. I
CC
vs. Ambient Temperature
Figure 12. V
SAT
vs. Ambient Temperature
500
450
400
350
T
A
=25 C
o
I
O
(max) (mA)
300
250
200
150
100
50
0
5
10
15
20
25
V
CC
(V)
Figure 13. I
O
(max) vs. VCC
Feb. 2007 Rev. 1. 1
8
BCD Semiconductor Manufacturing Limited