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    AH266_07 参数 Datasheet PDF下载

    AH266_07图片预览
    型号： AH266_07
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高压霍尔效应锁存 [HIGH VOLTAGE HALL EFFECT LATCH]
    分类和应用： 高压
    文件页数/大小： 11 页 / 190 K
    品牌： BCDSEMI [ BCD SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LIMITED ]
     浏览型号AH266_07的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AH266_07的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AH266_07的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AH266_07的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AH266_07的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AH266_07的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AH266_07的Datasheet PDF文件第9页浏览型号AH266_07的Datasheet PDF文件第10页  
    Data Sheet
    HIGH VOLTAGE HALL EFFECT LATCH
    Magnetic Characteristics (Continued)
    AH266
    +24V
    AH266
    V
    CC
    S
    Marking Side
    DO DOB GND
    1
    2
    3
    4
    R1
    820Ω
    R2
    DO (V
    OUT1
    )
    DOB (V
    OUT2
    )
    C1
    C2
    N
    820Ω
    20pF 20pF
    Figure 4. Basic Test Circuit
    DO (V)
    16
    DOB (V)
    16
    14
    12
    10
    8
    6
    4
    2
    -20
    0
    20
    40
    V
    CC
    14
    12
    10
    8
    6
    4
    2
    V
    CC
    V
    SAT
    20
    40
    V
    SAT
    -40
    -40
    -20
    0
    Magnetic Flux Density B (Gauss)
    Magnetic Flux Density B (Gauss)
    Figure 5. V
    DO
    vs. Magnetic Flux Density
    Figure 6. V
    DOB
    vs. Magnetic Flux Density
    Feb. 2007 Rev. 1. 1
    6
    BCD Semiconductor Manufacturing Limited

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