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AH266_07 参数 Datasheet PDF下载

AH266_07图片预览
型号: AH266_07
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内容描述: 高压霍尔效应锁存 [HIGH VOLTAGE HALL EFFECT LATCH]
分类和应用: 高压
文件页数/大小: 11 页 / 190 K
品牌: BCDSEMI [ BCD SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LIMITED ]
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Data Sheet
HIGH VOLTAGE HALL EFFECT LATCH
Typical Performance Characteristics
AH266
4.0
3.6
3.2
80
60
B
OP
/B
RP
/B
HYS
(GS)
2.8
T
A
=25 C
40
o
I
CC
(mA)
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0.0
0
5
10
15
20
25
20
0
B
OP
B
RP
B
HYS
T
A
=25 C
o
-20
-40
5
10
15
20
25
V
CC
(V)
V
CC
(V)
Figure 7. I
CC
vs. V
CC
Figure 8. B
OP
/B
RP
/B
HYS
vs. V
CC
80
800
60
600
B
OP
/B
RP
/B
HYS
(GS)
40
20
0
B
OP
B
RP
B
HYS
V
CC
=24V
P
D
(mW)
400
200
-20
-40
-20
0
20
o
40
60
80
0
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
A
( C)
T
A
( C)
o
Figure 9. B
OP
/B
RP
/B
HYS
vs. Ambient Temperature
Figure 10. P
D
vs. Ambient Temperature
Feb. 2007 Rev. 1. 1
7
BCD Semiconductor Manufacturing Limited