时序图
N+1
ANALOG IN
N
t
D
时钟
t
CONV
N+2
N+3
N+4
N+5
t
L
t
H
N+6
N+7
5个时钟周期
t
2
数据输出
N–5
N–4
N–3
N–2
N–1
N
t
1
N+1
N+2
数据无效
符号
t
CONV
t
L
t
H
t
D
t
1
t
2
描述
转换时钟周期
时钟脉冲低
时钟脉冲高
孔径延迟
数据保持时间，C
L
= 0pF
新数据延迟时间，C
L
= 15pF的最大
民
16.6
7.9
7.9
3.9
典型值
最大
100µs
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
8.3
8.3
3
12
封装/订购信息
包
制图
数
324
＆ QUOT ;
324
＆ QUOT ;
特定网络版
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
＆ QUOT ;
-40 ° C至+ 85°C
＆ QUOT ;
包
记号
ADS823E
＆ QUOT ;
ADS826E
＆ QUOT ;
订购
数
(1)
ADS823E
ADS823E/1K
ADS826E
ADS826E/1K
运输
媒体
轨道
磁带和卷轴
轨道
磁带和卷轴
产品
ADS823E
＆ QUOT ;
ADS826E
＆ QUOT ;
包
SSOP-28
＆ QUOT ;
SSOP-28
＆ QUOT ;
注： （ 1 ）模型以斜杠（ / ）只适用于磁带和卷轴中所示的数量（例如， / 1K表示每卷1000个设备） 。订购1000件
ADS823E的/ 1K “将得到一个1000件磁带和卷轴。
演示板订购信息
产品
ADS823E
演示板
DEM-ADS823E
静电
放电敏感度
这个集成电路可以被ESD损坏。的Burr-Brown
建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作
和安装程序，会造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降
完成设备故障。精密集成电路可能
更容易受到伤害，因为很小的参数
变化可能导致设备不能满足其公布
特定连接的阳离子。
绝对最大额定值
+V
S
....................................................................................................... +6V
模拟输入................................................ ............. -0.3V到（ + V
S
+ 0.3V)
逻辑输入................................................ ............... -0.3V到（ + V
S
+ 0.3V)
外壳温度................................................ ......................... + 100°C
结温................................................ .................... + 150°C
存储温度................................................ ..................... + 150°C
®
ADS823 ， ADS826
4
BURR-BROWN [ BURR-BROWN CORPORATION ]
