特定网络阳离子
在T
A
=满规定的温度范围内，单端输入范围= 1.5V至3.5V ，采样率= 60MHz的外部参考，除非另有说明。
ADS823E
民
决议
特定网络版温度范围
模拟量输入
标准的单端输入范围
可选的单端输入范围
共模电压
可选差分输入范围
模拟量输入偏置电流
输入阻抗
追踪模式输入带宽
转换特性
采样率
数据延迟
动态特性
微分线性误差（大码错误）
F = 1MHz的
F = 10MHz时
无失码
积分非线性误差， F = 1MHz的
无杂散动态范围
(2)
F = 1MHz的
F = 10MHz时
双音互调失真
(4)
F =具有9.5MHz和9.9MHz （ -7dB每个音）
信号 - 噪声比（ SNR）的
F = 1MHz的
F = 10MHz时
信号与（噪声+失真）比（SINAD ）
F = 1MHz的
F = 10MHz时
有效位数
(5)
， F = 1MHz的
输出噪声
孔径延迟时间
孔径抖动
过电压恢复时间
(5)
满量程步进采集时间
数字输入
逻辑系列
convert命令
高电平输入电流
(6)
(V
IN
= 5V)
低电平输入电流（V
IN
= 0V)
高电平输入电压
低电平输入电压
输入电容
数字输出
逻辑系列
逻辑编码
低输出电压（I
OL
= 50μA至1.6毫安）
高输出电压， （我
OH
= 50μA至0.5mA）即可
低输出电压， （我
OL
= 50μA至1.6毫安）
高输出电压， （我
OH
= 50μA至0.5mA）即可
三态启用时间
三态禁止时间
输出电容
环境空气
2Vp-p
1Vp-p
2Vp-p
1.5
2
2.5
2
1
1.25 || 5
300
10k
5
60M
T
T
3
T
T
T
T
T
典型值
10保
-40至+85
3.5
3
T
T
T
T
最大
民
ADS826E
(1)
典型值
10保
-40至+85
T
T
最大
单位
位
°C
V
V
V
V
µA
MΩ || pF的
兆赫
样本/秒
CLK天幕
-3dBFS输入
±0.25
±0.25
保证
±0.5
74
74
64
提到满量程正弦波
57
提到满量程正弦波
56
输入接地
59
59
9.5
0.2
3
1.2
2
5
60
60
±1.0
±2.0
T
T
保证
T
73
73
T
59
59
58
58
T
T
T
T
T
T
T
最低位
最低位
最低有效位
dBFS的
(3)
dBFS的
dBc的
dB
dB
dB
dB
位
LSB的有效值
ns
ps的均方根
ns
ns
T
67
65
56
55
开始转换
CMOS兼容
转换时钟的上升沿
+100
+10
+3.5
+1.0
5
CMOS
直接偏移二进制
+0.1
+4.9
+0.1
+2.8
2
40
2
10
5
±1.0
16
±1.5
66
±1.0
23
70
±10
±10
3.5
1.5
1.6
±3.0
TTL ， + 3V / 5V + CMOS兼容
转换时钟的上升沿
T
T
+2.0
+0.8
T
CMOS
直接偏移二进制
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
±0.29
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
µA
µA
V
V
pF
VDRV = 5V
VDRV = 3V
OE = H到L
OE = L至H
V
V
V
V
ns
ns
pF
％ FS
PPM /°C的
％ FS
％ FS
PPM /°C的
％ FS
PPM /°C的
dB
mV
mV
V
V
kΩ
精度（内部参考， 2VP- P，除非另有说明）
零误差（简称-FS ）
在25℃下
零误差漂移（简称-FS ）
中间电平偏移误差
在25℃下
增益误差
(7)
在25℃下
增益误差漂移
(7)
增益误差
(8)
在25℃下
增益误差漂移
(8)
增益的电源抑制
∆
V
S
=
±5%
REFT公差
偏离理想3.5V
REFB公差
偏离理想1.5V
外部REFT电压范围
外部REFB电压范围
参考输入电阻
REFT到REFB
2.5
1.5
T
±25
±25
V
S
– 1.25
REFT - 0.8
T
T
50
REFB + 0.8
1.25
T
T
T
T
T
T
®
ADS823 ， ADS826
2
BURR-BROWN [ BURR-BROWN CORPORATION ]
