概述
典型帽。改变与直流电压
X7R
静电容量变化百分比
2.5
0
-2.5
-5
-7.5
-10
25%
50%
％的额定电压
75%
100%
静电容量变化百分比
+1.5
0
-1.5
趋向于去岁电容，这就是为什么重读电容的
12或24小时后距离受到允许在军用规范
已经执行后的介电强度测试系统蒸发散。
老化率的典型曲线
X7R
-3.0
-4.5
图4
典型帽。随温度变化
X7R
静电容量变化百分比
+20
+10
0VDC
0
-10
-20
-30
-55 -35
-15
+5
+25 +45 +65 +85 +105 +125
-6.0
-7.5
1
10
100
1000 10,000 100,000
小时
特征
C0G （ NP0 ）
X7R ， X5R
Y5V
马克斯。老化率％ /十年
无
2
7
图6
温度℃
图5
影响时间 -
第2类瓷介电容器的变化
电容和损耗因数与时间以及温
perature ，电压和频率。这种随时间的变化是
被称为老化。老化是造成一个渐进的重新调整
陶瓷的晶体结构和方式产生了一个
指数损耗的电容和降低耗散
因素随时间的变化。老龄化率半的典型曲线
稳定陶瓷示于图6 。
如果2类瓷介电容器一直坐在那
搁板的一段时间，在上述其居里点加热
（125 ℃下4小时或150℃下进行
1
⁄
2
小时就足够了）的一部分
将脱年龄，并返回到它的初始电容和耗散
而不能使系数读数。因为电容的变化
迅速，脱老化后立即将基本电容
测量通常称为一个时间段某处
去老化处理之后的时间。各个厂家使用
不同的时基，但最受欢迎的人，总有一天
后或24小时“最后的热。 ”改变的老化
曲线可以通过电压的施加而引起并
其他压力。在电容由于可能发生的变化
德化通过加热单元解释为什么电容
允许改变测试之后，如温度循环，
耐湿性等，在MIL标准。的应用
高电压等电介质耐电压也
影响频率 -
高频电容的影响
和电容器的阻抗特性。这种效果是
更为显着的高介电常数陶瓷
配方比在低K值配方。 AVX的SpiCap软
洁具产生阻抗， ESR ，串联电感系列
谐振频率和电容都作为函数
频率，温度和DC偏压为标准的芯片尺寸
和风格。它可以不受AVX并且可以向下
下载免费从AVX网站： www.avx.com 。
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