098765432109876543216
10987654321098765482
937
109876543210987654316
09876543210987654322154321
987
10987654321098765432154321
09876543210987654321154321
9876
109876543210987654326
09876543210987654321154321
987
098765432109876543216
10987654321098765482
937
10987654321098765431154321
09876543210987654322154321
987
10987654321098765432154321
09876543210987654321154321
9876
109876543210987654326
098765432109876543216
987
t
AH
8765409876543210987654321
021
8765139876543210987654321
132176543210987654321
409876543210987654321
098
8765432176543210987654321
109876543210987654321
098
8765432176543210987654321
109876543210987654321
098
8765439876543210987654321
021
098
109876543210987654321
098
8765139876543210987654321
439876543210987654321
102176543210987654321
021
8765109876543210987654321
409876543210987654321
8765432176543210987654321
t
AW
ADDR
写周期时序（WE \\控制， OE \\ = LOW ）
ADDR
D
OUT
D
OUT
CE \\
1
CE \\
1
OE \\
CE
2
CE
2
注意事项：
1. CE \\是高读周期。
2.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
.
注意：
1. CE \\是高读周期。
高-Z
以前的数据有效
奥斯汀半导体公司
读周期时序2
(1)
读周期时序1
(1)
t
LZCE
t
AS
54321
54321
54321
54321
D
OUT
4321
4321
4321
4321
AS5C1008
3.6修订版6/05
WE \\
D
IN
t
LZOE
t
OH
t
ACE
t
AOE
6
t
HZWE
t
AA
t
RC
t
WC
t
RC
t
CW
t
WP2
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
数据有效
t
DS
数据有效
高-Z
数据有效
t
HZCE
t
DH
t
LZWE
t
HZCE(2)
未定义
不在乎
AS5C1008
SRAM
AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
