SRAM
奥斯汀半导体公司
AS5C1008
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
C<T
A
<+125
o
C或-40
o
C至+ 85
o
℃; VCC = 5V + 10 ％ ）
参数
工作动态
当前
TTL待机电流 -
TTL输入
条件
VCC = MAX ，我
OUT
= 0毫安，
CE
1
= V
IL
和CE
2
= V
IH
， F = f最大
VCC = MAX ，V
IN
= V
IH
或V
IL
,
CE \\
1
＆ GT ; V
IH
和CE
2
＆ GT ; V
IL
， F = f最大
VCC = MAX ， CE \\
1
>的Vcc -0.2V ，或CE
2
I
SB2
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
2.2
-0.5
-10
-10
2.4
0.4
VCC
+0.5
0.8
2.2
10
10
10
mA
µA
µA
V
0.4
2.2
-0.5
VCC
+0.5
0.8
V
V
V
-15
-20
-25
符号最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位
I
CC1
I
SB1
180
150
140
mA
90
75
70
mA
CMOS待机电流 -
＆ LT ; 0.2V ，V
IN
>的Vcc -0.2V和
CMOS输入
V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
GND < V
IN
＆ LT ; VCC
GND < V
OUT
＆ LT ; VCC
输出禁用
VCC =最小，我
OH
= -4.0毫安
VCC =最小，我
OL
= 8.0毫安
10
10
-10
-10
2.4
10
10
-10
-10
2.4
10
10
0.4
VCC
+0.5
-0.5 0.8
引脚说明
A0 - A16 ：地址输入
这17个地址输入中选择131,072 8位字中的一个
RAM中。
CE \\
1
：芯片使能输入1
CE \\
1
被置为低电平读取或写入设备。如果芯片
启用1无效，取消选择器件并处于待机状态
功率模式。在I / O引脚将处于高阻抗状态
当设备被取消。
CE
2
：芯片使能输入2
CE
2
被置为高电平读取或写入设备。如果芯片
启用2为无效，取消选择器件并处于待机状态
功率模式。在I / O引脚将处于高阻抗状态
当设备被取消。
OE \\ ：输出使能输入
输出使能输入为低电平。如果置为低电平
而CE \\
1
有效（低电平）和CE
2
有效（高）和
WE \\无效（高电平）时，从SRAM中的数据将是本
在I / O引脚。在I / O引脚将处于高阻抗
当OE \\置为无效状态。
WE \\ ：写使能输入
写使能输入为低电平和控制读取和
写操作。当CE \\
1
和WE \\都有效（低电平）
和CE
2
被认定存在于I / O引脚（高电平）的输入数据
将被写入到所选择的存储位置。
AS5C1008
3.6修订版6/05
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3
AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
