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AS5C1008_05 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AS5C1008_05
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内容描述: 128K ×8 SRAM耐用的塑料高速SRAM [128K x 8 SRAM RUGGEDIZED PLASTIC HIGH SPEED SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 9 页 / 67 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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SRAM
奥斯汀半导体公司
电容
(T
A
= +25
o
C,F = 1.0兆赫)
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
符号
C
IN
C
OUT
最大
6
8
单位
pF
pF
AS5C1008
AC测试条件
输入脉冲电平............................................... ........ GND到3.0V
输入上升和下降时间............................................. .............为3ns
输入时序参考电平.............................................. ..1.5V
输出参考电平............................................... 1.5V ...........
输出负载................................................ ..................参见图1
+5V
480Ω
Q
255Ω
30 pF的
Q
255Ω
+5V
480Ω
5 pF的
对于T
LZCE
, t
HZCE
, t
LZWE
, t
HZWE
, t
LZOE
和叔
HZOE
图。 1输出负载等效
AS5C1008
3.6修订版6/05
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
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