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AS4LC4M16DG-6S/XT 参数 Datasheet PDF下载

AS4LC4M16DG-6S/XT图片预览
型号: AS4LC4M16DG-6S/XT
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内容描述: 4 MEG ×16 DRAM [4 MEG x 16 DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 25 页 / 520 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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DRAM
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
在V电压
CC
相对于V
SS
.......................................- 1V至4.6V +
数控,输入或I / O引脚电压
相对于V
SS
.................................................. 。 - 1V至4.6V +
功耗................................................ ........................... 1W
工作温度范围,T
A
(环境) ..............- 55 ° C至125°C
存储温度(塑料) ......................................- 55 ° C至150° ç
AS4LC4M16
*应力大于下& QUOT上市,绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值,器件的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分将得不到保证。曝光
在绝对最大额定值条件下工作
会影响其可靠性。
DC电气特性和操作条件
1
(V
CC
= +3.3V ±0.3V)
参数
电源电压
输入高电压:
有效的逻辑1 ;所有的输入, I / O和任何NC
输入电压低:
有效的逻辑0 ;所有的输入, I / O和任何NC
输入漏电流:
任何输入在V
IN
( 0V & LT ; V
IN
& LT ; V
CC
+0.3V);
所有其它引脚不被测= 0V
输出漏电流:
任何输入在V
OUT
( 0V & LT ; V
OUT
& LT ; V
CC
+0.3V);
DQ被禁用,在高阻态
输出高电压:
I
OUT
= -2mA
输出低电压:
I
OUT
= 2毫安
符号
V
CC
V
IH
V
IL
I
I
3
2
-0.3
最大
3.6
V
CC
+ 0.3
0.8
单位
V
V
V
35
35
笔记
-2
2
µA
36
I
OZ
-5
5
µA
V
OH
V
OL
2.4
---
---
0.4
V
V
AS4LC4M16
1.0版7/02
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
7