DRAM
奥斯汀半导体公司
电容
2
参数
输入电容：地址引脚
输入电容： RAS \\ CAS \\我们\\ OE \\
输入/输出电容： DQ
符号
C
I1
C
I2
C
I0
最大
5
7
7
单位
pF
pF
pF
AS4LC4M16
AC电气特性
5,6,7,8,9,10,11,12
(V
CC
= +3.3V ±0.3V)
描述
从列地址访问时间
列地址设置到CAS \\预充电
列地址保持时间（参考RAS \\ ）
列地址设置时间
行地址建立时间
列地址WE \\延迟时间
中国科学院\\访问时间
列地址保持时间
CAS \\脉冲宽度
CAS \\低到"Don't Care"期间自刷新
CAS \\保持时间（ CBR刷新）
最后CAS \\会低到第一CAS \\返回HIGH
CAS \\输出在低Z
CAS \\低后数据输出保持
CAS \\预充电时间
中国科学院\\预充电时间访问
CAS \\到RAS \\预充电时间
CAS \\保持时间
CAS \\建立时间（ CBR刷新）
CAS \\到WE \\延迟时间
写命令CAS \\交货时间
数据保持时间
数据的建立时间
输出禁用
输出使能时间
OE \\保持时间从我们在\\
读 - 修改 - 写周期
OE \\高保持时间从CAS \\高
OE \\高脉冲宽度
OE \\低到CAS \\ HIGH设置时间。
输出缓冲关断延迟
OE \\安装之前RAS \\中隐藏刷新周期
AS4LC4M16
1.0版7/02
-5
符号
t
AA
t
ACH
t
AR
t
ASC
t
ASR
t
AWD
t
CAC
t
CAH
t
CAS
t
CHD
t
CHR
t
CLCH
t
CLZ
t
COH
t
CP
t
注册会计师
t
CRP
t
CSH
t
企业社会责任
t
CWD
t
CWL
t
DH
t
DS
t
OD
t
OE
t
OEH
t
OEHC
t
OEP
t
OES
t
关闭
t
ORD
8
5
5
4
0
0
12
5
38
5
28
8
8
0
0
12
12
8
8
15
8
5
0
3
8
28
10,000
12
38
0
0
42
13
民
最大
25
-6
最小最大
30
15
45
0
0
49
15
10
10
15
10
5
0
3
10
35
5
45
5
35
10
10
0
0
15
15
10
10
5
5
0
0
15
10,000
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
28
28
18
29
28
30, 32
4, 31
31
29
13, 33
29
31
31
4, 28
18, 28
31
19, 29
19, 29
24, 25
20
25
17, 24, 29
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
9
AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
