DRAM
奥斯汀半导体公司
4 MEG ×16 DRAM
扩展数据输出（ EDO ） DRAM
特点
•单+ 3.3V ± 0.3V电源。
•行业标准的x16的引脚排列，时间，功能和
封装。
• 12行， 10列地址
•高性能CMOS硅栅工艺
•所有输入，输出和时钟LVTTL兼容
•扩展数据输出（ EDO ）页模式访问
• 4096周期CAS \\ -before - RAS \\ （ CBR ） REFRESH
分布在64毫秒
•可选的自刷新（ S）的低功耗数据保持
•1级湿度敏感度等级， JEDEC J- STD- 020
AS4LC4M16
引脚分配
（ TOP VIEW ）
50引脚TSOP （ DG ）
选项
•包（ S）
50针TSOP （ 400密耳）
•时机
为50ns存取
60ns的访问
•刷新率
标准刷新
自刷新
•工作温度范围
军用（ -55 ° C至+ 125°C ）
工业级（-40° C至+ 85°C ）
标志
DG
-5
-6
CON组fi guration
刷新
行地址
列寻址
4梅格×16
4K
A0-A11
A0-A9
无
S*
XT
IT
注意：
在\\符号表示信号为低电平有效。
*联系工厂。可在它的自我刷新选项
唯一版本。
关键时序参数
t
RAC
速度T
RC
-5
84ns 50ns的
-6
104ns 60ns的
t
PC
20ns
25ns
t
AA
25ns
30ns
t
CAC
13ns
15ns
t
CAS
8ns
10ns
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
AS4LC4M16
1.1修订版6/05
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
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AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
