奥斯汀半导体公司
AS4LC1M16 883C
1 MEG ×16 DRAM
初步
BYTE存取周期
字节写和字节读取被确定
利用
?
C
?
A
/
S
/
L和
?
C
?
A
/
S
?
H.启用
?
C
?
A
/
S
/
L将选择一个
低字节访问（ DQ1 - DQ8 ） 。启用
?
C
?
A
/
S
?
H进行选择
上字节访问（ DQ9 - DQ16 ） 。启用两个
?
C
?
A
/
S
/
L
和
?
C
?
A
/
S
?
ħ选择一个字写周期。
该AS4LC1M16可以被看作两个1兆欧×8
拥有共同的输入控件，与例外的DRAM
的化
/ ?
C
?
A
/
S输入。图3示出的字节写
和字写周期。
此外，两个字节必须始终是相同的
操作的模式，如果两个字节都是活动的。一
?
C
?
A
/
S预充电
必须被改变的操作模式之前纳
上部和下部字节之间。例如，早
写一个字节，另一字节后写入是
在同一周期期间不允许的。然而，早期的
写一个字节，后
?
C
?
A
/
S预充电已
满意，另一方面字节后写入是容许的。
刷新
通过保持电源保持正确的存储单元数据
并执行
?
R
?
A
/
硫循环（读，写）或
?
R
?
A
/
S刷新
周期（ΔR
?
A
/
唯一的， CBR ，或隐藏） ，这样所有1024
的RAS地址的组合被执行至少每
? ? /
16毫秒，无论序列。在CBR刷新周期将
调用自动刷新计数器
?
R
?
A
/
的寻址。
字写
RAS
低字节写入
CASL
现金
WE
存储
数据
1
1
输入
数据
0
0
1
0
0
0
0
0
输入
数据
存储存储
数据
数据
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
输入
数据
1
1
0
1
1
1
1
1
输入
数据
存储
数据
1
1
0
1
1
1
1
1
低字节
(DQ1-DQ8)
作者： WORD
0
1
1
1
1
1
0
X
X
X
X
X
X
X
X
1
0
1
0
1
1
1
1
1
0
1
0
1
1
1
1
1
0
1
0
1
1
1
1
X
X
X
X
X
X
X
X
地址1
1
0
1
0
1
1
1
1
高字节
(DQ9-DQ16)
作者： WORD
1
0
1
0
0
0
0
地址0
X =无效（无关）
科幻gure 3
WORD和字节写实例
AS4LC1M16
REV 。 3/97
DS000020
2-96
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
