AS4LC1M16883C 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AS4LC1M16883C
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内容描述：	1 MEG ×16 DRAM [1 MEG x 16 DRAM]
分类和应用：	动态存储器
文件页数/大小：	22 页 / 194 K
品牌：	AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]

奥斯汀半导体公司

AS4LC1M16 883C

1 MEG ×16 DRAM

初步

真值表

地址

功能

待机

阅读：字

阅读：低字节

阅读：高字节

WRITE ： WORD

（早期写）

WRITE ： LOWER

BYTE （早期）

WRITE ： UPPER

BYTE （早期）

读写

EDO -PAGE -MODE第一个周期

读

第二个周期

任何周期

EDO -PAGE -MODE第一个周期

写

读 - 写

隐

刷新

CBR刷新

注意：

第二个周期

读

写

EDO -PAGE -MODE第一个周期

L>H>L

H>L

H>X

H>L

L>H

H>L

H>X

H>L

L>H

H>L

L>H

的DQ

高-Z

数据输出

低字节，

高位字节，数据输出

低字节，数据输出

高字节

数据在

低字节，数据输入

高字节，高Z

低字节，高Z

高位字节，数据输入

数据输出，数据输入

数据输出

数据在

数据输出，数据输入

数据输出

数据在

高-Z

笔记

ROW

不适用

ROW

不适用

ROW

不适用

ROW

COL

不适用

COL

不适用

1, 2

1, 3

S-不但刷新

1.这些写入周期也可能是字节写周期（无论是

L或

ħ激活）。

2.这些读周期也可能是字节读周期（无论是

L或

ħ激活）。

3.早期只写。

4.只有一个

s必须是积极的（ΔC

L或

H).

AS4LC1M16

REV 。 3/97

DS000020

2-98

奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。

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