奥斯汀半导体公司
AS4LC1M16 883C
1 MEG ×16 DRAM
初步
DRAM
作为军事
特定网络阳离子
• MIL -STD 883
• SMD计划
1 MEG ×16 DRAM
3.3V ， EDO页模式下，
可选的扩展REFRESH
引脚配置（顶视图）
五十〇分之四十四引脚SOJ / LCC /鸥翼
450mil
特点
• JEDEC-和行业标准x16的时间，功能，
引脚和封装
•高性能CMOS硅栅工艺
• + 3.3V单
±0.3V
电源
•所有器件引脚兼容TTL
•刷新模式：
?
R
?
A
/
唯一的，
?
C
?
A
/
S-直至─ ·R
?
A
/
S（ CBR），
隐
•字节写访问周期
• 1024周期刷新（10行向， 10列地址）
•低功耗， 0.3MW备用; 180MW活跃，典型的
•扩展数据输出（ EDO ）的页面访问周期
• 5V兼容的I / O （ 5.5V最大V
IH
级）
VCC
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
VCC
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
VSS
DQ16
DQ15
DQ14
DQ13
VSS
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
NC
选项
•时机
60ns的存取（联系工厂）
为70ns存取
80ns的访问
•刷新率
标准的16毫秒期
•包
陶瓷SOJ
陶瓷鸥翼型
陶瓷LCC
记号
-6
-7
-8
无
欧洲法院第506号
心电图604号
EC号213
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
VCC
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
NC
CASL
现金
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
关键时序参数
速度
-6
-7
-8
t
RC
t
RAC
t
PC
t
AA
t
CAC
t
CAS
105ns
125ns
150ns
60ns
70ns
80ns
25ns
30ns
40ns
30ns
35ns
40ns
15ns
20ns
20ns
12ns
12ns
20ns
概述
该AS4LC1M16是随机访问的固态
内存包含组织在X16 16777216位CON-
成形。该AS4LC1M16有两个字节写和
通过两个WORD写访问周期
?
C
?
A
/
S引脚（ΔC
?
A
?
S
/
L和
?
C
?
A
?
S
?
高） 。这些单个功能以类似的方式
?
C
?
AS
在其他的DRAM任
?
C
?
A
?
S
/
L或ç
?
A
?
S
?
H进行生成
?
AS4LC1M16
REV 。 3/97
DS000020
内部
?
C
?
A
/
S.
该AS4LC1M16
?
C
?
A
/
S功能和定时阻止 -
通过第一采
?
C
?
A
/
S（ 2 C
?
A
?
S
/
L或
?
C
?
A
?
S
?
高）转换到LOW
和最后一个
?
C
?
A
/
S来转换回HIGH 。使用仅一个
这两个结果中的字节写入周期。
?
CASL过渡
? ? /
LOW选择一个访问周期的低位字节（ DQ1 - DQ8 ）
和
?
C
?
A
?
S
?
ħ过渡LOW选择一个访问周期为
高字节（ DQ9 - DQ16 ） 。
每一位都通过20位地址寻址唯一
在读或写周期。这些输入10位
（A0 -A9 ）的时间。
?
R
?
A
/
S被用于锁存所述第一10比特和
?
C
?
A
/
S中的后10位。该
?
C
?
A
/
S功能还确定
该循环是否将是一个刷新周期（ΔR
?
A
/
唯一的）或
活跃周期（读取，写入或读写）一次
?
R
?
A
/
S
变低。
2-93
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
