MEG
16我克FPM DRAM
奥斯汀半导体公司
电容
(T
A
< +25
o
℃; VCC = 5V + 10 ％ ）
参数
输入电容（ A0 - A11 ）
输入电容（ RAS \\ CAS \\ ，W \\ OE \\ ）
输出电容（ DQ0 - DQ3 ）
符号
C
IN1
C
IN2
C
DQ
最大
6
8
8
单位
pF
pF
pF
AS4C4M4
电气特性和推荐AC工作条件
1,2
(-55
o
C<T
A
<+125
o
Ç & -40
o
C<T
A
<+85
o
℃; VCC = 5V ±10％ ; V
IH
/V
IL
= 2.4/0.8V; V
OH
/V
OL
= 2.4/0.4V)
-60
符号
t
RC
t
RWC
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
CLZ
t
关闭
t
T
t
RP
t
RAS
t
RSH
t
CSH
t
CAS
t
RCD
t
拉德
t
CRP
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
拉尔
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
WCH
t
WP
t
RWL
t
CWL
参数
随机读或写周期时间
读 - 修改 - 写周期时间
从RAS访问时间\\
中国科学院\\访问时间
从列地址访问时间
CAS \\输出在低Z
输出缓冲关断延迟
过渡时间（提高和下降）
RAS \\预充电时间
RAS \\脉冲宽度
RAS \\保持时间
CAS \\保持时间
CAS \\脉冲宽度
RAS \\到CAS \\延迟时间
RAS \\到列地址的延迟时间
CAS \\到RAS \\预充电时间
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址建立时间
列地址保持时间
列地址到RAS \\交货时间
读命令设置时间
阅读参考CAS \\命令保持时间
阅读参考RAS命令保持时间\\
写命令保持时间
WRITE命令的脉冲宽度
写命令RAS \\交货时间
写命令CAS \\交货时间
0
0
3
40
60
15
60
15
20
15
5
0
10
0
10
30
0
0
0
10
10
15
15
10K
45
30
10K
15
50
民
110
155
60
15
30
0
0
3
50
70
17
65
18
25
17
5
0
10
0
12
35
0
0
0
12
12
17
17
10K
50
35
10K
15
50
最大
民
130
185
70
20
35
-70
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
8
8
4
10
3, 4, 10
3, 4, 5
3, 10
3
6
2
笔记
AS4C4M4
1.1修订版06/05
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
4
AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
