MEG
16我克FPM DRAM
奥斯汀半导体公司
测试模式周期
11
-60
符号
t
RC
t
RWC
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
RAS
t
CAS
t
RSH
t
CSH
t
拉尔
t
CWD
t
RWD
t
AWD
t
CPWD
t
PC
t
PRWC
t
RASP
t
注册会计师
t
OEA
t
OED
t
OEH
参数
随机读或写周期时间
读 - 修改 - 写周期时间
从RAS访问时间\\
中国科学院\\访问时间
从列地址访问时间
RAS \\脉冲宽度
CAS \\脉冲宽度
RAS \\保持时间
CAS \\保持时间
列地址到RAS \\交货时间
CAS \\为W \\延迟时间
RAS \\为W \\延迟时间
列地址为W \\延迟时间
CAS \\预充电至W \\延迟时间
快速页面周期时间
快速页面读取 - 修改 - 写入时间
RAS \\脉冲宽度（快速页面周期）
中国科学院\\预充电时间访问
OE \\访问时间
OE \\数据延迟
OE \\命令保持时间
20
20
65
20
20
65
35
45
90
60
65
45
90
65
100K
40
20
22
22
民
115
160
65
20
35
10K
10K
75
25
22
70
40
48
100
70
70
50
100
75
100K
45
22
最大
民
135
180
70
22
38
10K
10K
-70
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3
7
7
7
3, 4, 10, 12
3, 4, 5, 12
3, 10 ,12
笔记
AS4C4M4
注意事项：
1. 200us的初始暂停后开机后的8 RAS需要\\ - 只刷新或CAS \\ -before - RAS \\刷新周期
前器件正常工作的实现。
2. V
IH
（MIN）和V
IL
（MAX），是参考电平，用于测量输入信号的定时。转换时间的测量
V
IH
（MIN）和V
IL
（MAX），并且被假定为5ns的所有输入。
3.测得相当于2 TTL负载和100pF电容负载。
内的T 4.操作
RCD
（最大值）限制确保了吨
RAC
（MAX）和被满足。吨
RCD
（MAX），被指定为唯一的一个参考点。
如果T
RCD
大于指定吨
RCD
（最大值）限值，则访问时间专门用t控制
CAC
.
5.假设那件T
RCD
＆ GT ;吨
RCD
（最大值）。
6. t
关闭
（MIN）和叔
OEZ
（MAX）定义为其中输出达到开路状态的时间，不被引用的V
OH
或V
OL
.
7. t
WCS
, t
RWD
, t
CWD
和T
AWD
都是非限制性的操作参数。它们包含在数据表中的电气特性中
istics而已。如果T
WCS
＆ GT ;吨
WCS
（MIN），该循环是一个早期的写周期的数据输出将保持为高阻抗
时间周期。如果T
CWD
＆ GT ;吨
CWD
（分钟） ，T
RWD
＆ GT ;吨
RWD
（MIN）和叔
AWD
＆ GT ;吨
AWD
（MIN） ，则该周期是一个读 - 修改 - 写周期
和输出的数据将包含从所选择的地址读取数据。如果上述两个条件被满足时，该
的数据输出状态是不确定的。
（下转第7页）
AS4C4M4
1.1修订版06/05
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
6
AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
