MEG
16我克FPM DRAM
奥斯汀半导体公司
4M ×4 CMOS DRAM
与快速页模式， 5伏
作为军事
特定网络阳离子
•
MIL-STD-883
VCC
DQ0
DQ1
W\
RAS \\
NC
AS4C4M4
引脚分配
（ TOP VIEW ）
24引脚TSOP （ DG ）
1
2
3
4
5
6
24
23
22
21
20
19
VSS
DQ3
DQ2
CAS \\
OE \\
A9
特点
•快速页模式操作
• CAS \\ -before - RAS \\刷新功能
• RAS \\ - 只和隐藏刷新功能
•自刷新功能
•快速并行测试模式功能
• TTL兼容的输入和输出
•早期写或输出使能控制的写
?? JEDEC标准引脚
•单+ 5V （ ± 10 ％ ）电源
A10
A0
A1
A2
A3
VCC
7
8
9
10
11
12
18
17
16
15
14
13
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
选项
•时机
60ns的访问
为70ns存取
•
包
塑料TSOP ， 24针
标志
-6
-7
引脚分配
针
A0 - A10
DQ0 -DQ3
V
SS
功能
地址输入
IN / OUT数据
地
行地址选通
列地址选通
读/写输入
数据输出使能
电源（+ 5V）的
无连接
DG
•
工作温度范围
军事（ -55
o
C至+ 125
o
C)
工业级（-40
o
C至+ 85
o
C)
XT
IT
RAS \\
CAS \\
W\
OE \\
V
CC
NC
概述
奥斯汀半导体公司AS4C4M4DG是
4194304 ×4位的快速页面模式的CMOS DRAM产品
存储单元内的同一高速随机存取
行。该器件采用+ 5V （ ± 10 ％ ）电源，
刷新周期（2K ）和快速访问时间（60和为70ns ） 。其他
功能包括CAS \\ -before - RAS \\ RAS \\ - 只刷新，并
隐藏刷新功能。这4M ×4快速页模式DRAM
用先进的CMOS工艺来实现高的制造
带宽，低功耗和高可靠性。它可能
作为主存储器，用于高层次计算机
微型计算机和个人计算机。
性能范围
速度
-6
-7
t
RAC
60
70
t
CAC
15
18
t
RC
110
130
t
PC
40
45
单位
ns
ns
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
AS4C4M4
1.1修订版06/05
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
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AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
