MEG
16我克FPM DRAM
奥斯汀半导体公司
AS4C4M4
电气特性和推荐AC工作条件
1,2
（续）
-60
符号
t
DS
t
DH
t
REF
t
WCS
t
CWD
t
RWD
t
AWD
t
CPWD
t
企业社会责任
t
CHR
t
RPC
t
注册会计师
t
PC
t
PRWC
t
CP
t
RASP
t
RHCP
t
OEA
t
OED
t
OEZ
t
OEH
t
WTS
t
WTH
t
WRP
t
WRH
t
RASS
t
RPS
t
CHS
数据建立时间
数据保持时间
刷新周期
写命令设置时间
CAS \\为W \\延迟时间
RAS \\为W \\延迟时间
列地址为W \\延迟时间
CAS \\预充电至W \\延迟时间
CAS \\建立时间（ CAS \\ -before - RAS \\刷新）
CAS \\保持时间（ CAS \\ -before - RAS \\刷新）
RAS \\到CAS \\预充电时间
中国科学院\\预充电时间访问
快速页面周期时间
快速页读 - 修改 - 写周期时间
CAS \\预充电时间（快速页面周期）
RAS \\脉冲宽度（快速页面周期）
RAS \\中科院\\预充电保持时间
OE \\访问时间
OE \\数据延迟
输出缓冲器关闭从OE \\延迟时间
OE \\命令保持时间
写命令设置时间（测试模式）
写命令保持时间（测试模式）
W¯¯ \\到RAS \\预充电时间（C \\ -B -R \\刷新）
W¯¯ \\到RAS \\保持时间（C \\ -B -R \\刷新）
RAS \\脉冲宽度（C \\ -B -R \\自刷新）
RAS \\预充电时间（C \\ -B -R \\自刷新）
CAS \\保持时间（C \\ -B -R \\自刷新）
15
0
15
10
10
10
10
100
110
-50
15
40
85
10
60
35
15
17
0
17
10
10
10
10
110
120
-50
17
100K
0
40
85
55
60
5
10
5
35
45
95
10
70
40
17
100K
参数
民
0
10
32
0
45
90
60
65
5
15
5
40
最大
民
0
12
32
-70
最大
单位
ns
ns
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
us
ns
ns
13, 14, 15
13, 14, 15
13, 14, 15
11
11
6
3
7
7
7
7
笔记
9
9
AS4C4M4
1.1修订版06/05
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
5
AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
