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    AS4C4M4DG-6/XT 参数 Datasheet PDF下载

    AS4C4M4DG-6/XT图片预览
    型号： AS4C4M4DG-6/XT
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    内容描述： 4M ×4 CMOS的DRAM快速页面模式， 5伏 [4M x 4 CMOS DRAM WITH FAST PAGE MODE, 5 VOLT]
    分类和应用： 动态存储器
    文件页数/大小： 19 页 / 2644 K
    品牌： AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号AS4C4M4DG-6/XT的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AS4C4M4DG-6/XT的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AS4C4M4DG-6/XT的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AS4C4M4DG-6/XT的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AS4C4M4DG-6/XT的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AS4C4M4DG-6/XT的Datasheet PDF文件第9页浏览型号AS4C4M4DG-6/XT的Datasheet PDF文件第10页浏览型号AS4C4M4DG-6/XT的Datasheet PDF文件第11页  
    MEG
    16我克FPM DRAM
    奥斯汀半导体公司
    附注（续） ：
    8.无论吨
    RCH
    或T
    RRH
    必须满足一个读周期。
    9.这些参数被引用到CAS \\下降沿在早期的写周期，并为W \\下降沿在读 - 修改 - 写
    周期。
    内的10吨操作
    拉德
    （最大值）限制确保了吨
    RAC
    （MAX），可以得到满足。吨
    拉德
    （MAX），被指定为唯一的一个参考点。
    如果T
    拉德
    大于指定吨
    RAS
    （最大值）限值，则访问时间为t控制
    AA
    .
    11.这些规范被应用在测试模式下。
    12.在测试模式的读周期， t值
    RAC
    , t
    AA
    , t
    CAC
    通过2ns的延迟为5ns为指定的值。这些参数
    应在测试模式下的周期中加入上述价值为指定的值在此数据表中指定。
    13.若t
    RASS
    > 100美元，然后RAS \\预充电时间一定要用吨
    RPS
    而不是吨
    RP
    .
    14.对于RAS \\ - 只刷新和突发CAS \\ -before - RAS \\刷新模式，连拍刷新2048次循环必须在执行
    32毫秒之前和自刷新后，为了满足刷新规范。
    15.对于分布式CAS \\ -before - RAS \\与15.6us间隔CAS \\ -before - RAS \\刷新率应该在15.6us执行
    紧接为了满足刷新规范自刷新之后。
    AS4C4M4
    读周期
    AS4C4M4
    1.1修订版06/05
    奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
    7

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