MEG
16我克FPM DRAM
奥斯汀半导体公司
功能框图
RAS \\
CAS \\
W\
控制
钟
V
CC
VBB发生器
V
SS
AS4C4M4
刷新计时器
行解码器
DATA IN
卜FF器
读出放大器& I / O
刷新控制
存储阵列
4,194,304 x 4
细胞
刷新计数器
DQ0
to
DQ3
(A0 - A10)
行地址缓冲器
(A0 - A10)
上校地址缓冲器
列解码器
数据输出
卜FF器
OE \\
绝对最大额定值*
任何引脚相对于V电压
CC
(V
IN
, V
OUT
） .....- 1.0V至+ 7.0V
在V电压
CC
供应相对于V
SS
(V
CC
） .........- 1.0V至+ 7.0V
存储温度（T
英镑
） ................................- 55 ° C至+ 150°C
功耗（P
D
).............................................................1W
短路输出电流（I
OS
Address).........................50mA
*应力大于下＆ QUOT上市，绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。结温依赖
后包型，循环时间，负荷，环境温度
和空气流通，湿度（塑料） 。
电气特性和推荐工作条件
(-55
o
Ç <牛逼
A
< 125
o
Ç & -40
o
Ç <牛逼
A
< +85
o
℃; VCC = 5V + 10 ％ ）
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
注意事项：
1. V
CC
+ 2.0V /为20ns ，脉冲宽度测量V
CC
2. -2.0V / 20ns的，脉冲宽度测量V
SS
符号
V
CC
V
IH
V
IL
民
4.5
2.4
-0.5
2
典型值
5.0
---
---
最大
5.5
V
CC
+ 0.5
0.8
1
单位
V
V
V
AS4C4M4
1.1修订版06/05
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2
AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
