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AS4SD4M16DG-10/XT 参数 Datasheet PDF下载

AS4SD4M16DG-10/XT图片预览
型号: AS4SD4M16DG-10/XT
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内容描述: 4梅格×16 SDRAM同步动态随机存取存储 [4 Meg x 16 SDRAM Synchronous DRAM Memory]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
文件页数/大小: 50 页 / 1139 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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SDRAM  
AS4SD4M16  
Austin Semiconductor, Inc.  
READ --WITH AUTO PRECHARGE1  
T3  
T4  
T5  
T6  
T7  
T8  
T0  
T1  
T2  
CL  
t
CLK  
CKE  
t
t
CK  
CH  
t
t
t
CKS CKH  
t
CMS  
CMH  
ACTIVE  
NOP  
READ  
NOP  
NOP  
NOP  
ACTIVE  
NOP  
NOP  
COMMAND  
t
t
CMS  
CMH  
DQM /  
DQML, DQMH  
t
t
t
t
AS  
AH  
A0-A9,  
A11  
COLUMN m2  
ROW  
ROW  
t
AS  
AH  
ENABLE AUTO PRECHARGE  
ROW  
ROW  
A10  
t
AS  
AH  
BANK  
BANK  
BANK  
BA0, BA1  
t
AC  
AC  
AC  
t
t
t
t
t
OH  
AC  
OH  
OH  
OH  
DOUT  
m
DOUT m+2  
DOUT m+1  
DOUT m+3  
DQ  
t
t
LZ  
HZ  
t
t
CAS Latency  
RCD  
RP  
t
RAS  
t
RC  
Don’t Care  
Undefined  
TIMING PARAMETERS  
-8  
-10  
-8  
-10  
-8  
-10  
S
Y
M
B
O
L
*
M
I
N
MAX  
6.5  
MIN  
MAX  
7
UNITS  
ns  
t
t
t
(3)  
(2)  
9
9
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
1
2
1
3
3
3.5  
3.5  
10  
15  
1
3
(3)  
(2)  
H  
8
MAX  
6.5  
MIN  
MAX  
7
MAX  
MIN  
MAX  
SYMBOL* MIN  
tAC(3)  
UNITS  
SYMBOL* MIN  
UNITS  
12  
1
KS  
2
3
tCMH  
tCMS  
tHZ(3)  
tHZ(2)  
tLZ  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
1
2
1
3
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
tAC(2)  
9
9
tAH  
1
2
1
3
6
7
8
tAS  
10  
tCH  
3
3.5  
3.5  
10  
15  
1
1
1
tCL  
tOH  
3
2.5  
50  
80  
20  
24  
2.5  
60  
90  
30  
30  
tCK(3)  
tCK(2)  
tCKH  
tCKS  
tRAS  
tRC  
tRCD  
tRP  
8
80,000  
80,000  
12  
1
2
3
* CAS latency indicated in parentheseses.  
NOTE: 1. For this example, the burst length = 4, the CAS latency = 2.  
2. x16: A8, A9 and A11 = “Don’t Care.”  
Austin Semiconductor, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
AS4SD4M16  
Rev. 1.5 10/01  
40  
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