特点
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工作电压: 3.3V
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访问时间:
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- 15纳秒( AT60142F )
非常低的功耗
- 活动: 650毫瓦(最大) @ 15纳秒, 540毫瓦(最大) @ 25纳秒
- 待机: 3.3毫瓦(典型值)
宽温度范围: -55〜 + 125°C
TTL兼容的输入和输出
异步
设计的0.25微米抗辐射工艺
无单粒子闩锁低于80兆电子伏/毫克/平方厘米LET阈值
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根据MIL -STD- 883方法1019进行测试达总剂量为300 krads (SI )
500密耳宽FP36包
ESD优于4000V
质量等级: ESCC与9301/052 , QML -Q或V带SMD 5962-05208
描述
该AT60142F是组织为524 288 ×8位的一个非常低功耗CMOS静态RAM 。
爱特梅尔公司带来了解决方案,应用快速计算是强制性低
消费,如航天电子,便携式仪器,或者开始
系统。
利用六晶体管( 6T)的存储器单元的阵列,所述AT60142F结合了
极低的待机电流(典型值= 1 mA),其中以快速的存取时间
15纳秒或更好的在整个军用温度范围内。在6T单元的高稳定性
提供出色的保护,防止由于噪声软错误。
该AT60142F是根据MIL的最新版本的处理方法
PRF 38535或ESCC 9000 。
其上产生一个辐射硬化为0.25μm的CMOS工艺。
抗辐射
512K ×8
极低的功耗
CMOS SRAM
AT60142F
牧师4408G - AERO - 4月9日
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