欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

5962R0520802VYC 参数 Datasheet PDF下载

5962R0520802VYC图片预览
型号: 5962R0520802VYC
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 抗辐射512K ×8的超低功耗CMOS SRAM [Rad Hard 512K x 8 Very Low Power CMOS SRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器异步传输模式ATM
文件页数/大小: 13 页 / 347 K
品牌: ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
 浏览型号5962R0520802VYC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号5962R0520802VYC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号5962R0520802VYC的Datasheet PDF文件第7页浏览型号5962R0520802VYC的Datasheet PDF文件第8页浏览型号5962R0520802VYC的Datasheet PDF文件第10页浏览型号5962R0520802VYC的Datasheet PDF文件第11页浏览型号5962R0520802VYC的Datasheet PDF文件第12页浏览型号5962R0520802VYC的Datasheet PDF文件第13页  
图5中。
写周期3. CS控制
(1)
E
注意:
存储器的内部写入时间由CS低和W低重叠定义。这两个信号必须被激活以启动
一写,要么信号可以通过去在主动模式下终止写入。数据输入建立和保持时间应为参考
转制到结束写入的信号的有效沿。
数据的是,如果OE = V高阻
IH
.
9
AT60142F
4408G–AERO–04/09