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    5962R0520802VYC 参数 Datasheet PDF下载

    5962R0520802VYC图片预览
    型号： 5962R0520802VYC
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 抗辐射512K ×8的超低功耗CMOS SRAM [Rad Hard 512K x 8 Very Low Power CMOS SRAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器异步传输模式ATM
    文件页数/大小： 13 页 / 347 K
    品牌： ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
     浏览型号5962R0520802VYC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号5962R0520802VYC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号5962R0520802VYC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号5962R0520802VYC的Datasheet PDF文件第7页浏览型号5962R0520802VYC的Datasheet PDF文件第9页浏览型号5962R0520802VYC的Datasheet PDF文件第10页浏览型号5962R0520802VYC的Datasheet PDF文件第11页浏览型号5962R0520802VYC的Datasheet PDF文件第12页  
    AT60142F
    写周期
    符号
    TAVAW
    tAVWL
    tAVWH
    tDVWH
    TELWH
    TWLQZ
    tWLWH
    tWHAX ALE低
    tWHDX
    TWHQX
    注意事项：
    参数
    写周期时间
    地址建立时间
    地址有效到写结束
    数据建立时间
    CS为低电平写入结束
    写低到高Z
    (1)
    把脉冲宽度
    从写结束地址保持
    数据保持时间
    写高到低Z
    (1)
    AT60142F-15
    15
    0
    8
    7
    12
    6
    8
    0
    0
    3
    单位
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    价值
    民
    民
    民
    民
    民
    最大
    民
    民
    民
    民
    1.参数的保证，没有经过测试，与输出负载5 pF的。 （请参阅“ AC测试负载波形”第7页）
    网络连接gure 3 。
    写周期1，我们控制， OE高在写
    E
    图4中。
    写周期2.我们控制， OE低
    E
    8
    4408G–AERO–04/09

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