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    AO6601_12 参数 Datasheet PDF下载

    AO6601_12图片预览
    型号： AO6601_12
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 30V互补MOSFET [30V Complementary MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 9 页 / 482 K
    品牌： AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号AO6601_12的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AO6601_12的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AO6601_12的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AO6601_12的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AO6601_12的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AO6601_12的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AO6601_12的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AO6601_12的Datasheet PDF文件第9页  
    AO6601
    P通道：典型的电气和热性能
    15
    -10V
    12
    -4.5V
    -3V
    8
    10
    V
    DS
    =-5V
    9
    -I
    D
    (A)
    -I
    D
    (A)
    -2.5V
    6
    V
    GS
    =-2V
    6
    4
    125°C
    25°C
    3
    2
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    -V
    DS
    （伏）
    图1 ：在区域特性（注五）
    210
    归一化的导通电阻
    190
    170
    R
    DS （ ON）
    (mΩ)
    Ω
    150
    130
    110
    90
    70
    50
    0
    4
    6
    8
    -I
    D
    (A)
    图3 ：导通电阻与漏电流和门
    电压（注五）
    2
    V
    GS
    =-10V
    V
    GS
    =-4.5V
    V
    GS
    =-2.5V
    0
    0
    0.5
    1
    1.5
    2
    2.5
    3
    3.5
    4
    -V
    GS
    （伏）
    图2 ：传输特性（注五）
    2
    1.8
    1.6
    1.4
    1.2
    1
    0.8
    0
    75
    100
    125
    150
    175
    温度（ δ
    C)
    0
    图4 ：导通电阻与结温
    18
    （注五）
    25
    50
    V
    GS
    =-2.5V
    I
    D
    =-1A
    V
    GS
    =-10V
    I
    D
    =-2.3A
    17
    5
    V
    GS
    =-4.5V
    I
    D
    =-2A
    2
    10
    250
    I
    D
    =-2.3A
    1.0E+02
    1.0E+01
    200
    R
    DS （ ON）
    (mΩ)
    Ω
    125°C
    150
    25°C
    100
    -I
    S
    (A)
    1.0E+00
    125°C
    1.0E-01
    25°C
    1.0E-02
    1.0E-03
    1.0E-04
    40
    50
    4
    6
    8
    10
    -V
    GS
    （伏）
    图5 ：导通电阻与栅源电压
    （注五）
    0
    2
    1.0E-05
    0.4
    0.6
    0.8
    1.0
    1.2
    -V
    SD
    （伏）
    图6 ：体二极管的特性（注五）
    0.0
    0.2
    第6版： 2012年12月
    www.aosmd.com
    第7页共9

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