AO6601_12 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO6601_12
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	30V互补MOSFET [30V Complementary MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 482 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO6601

30V互补MOSFET

概述

该AO6601采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

和低栅极电荷。该

互补的MOSFET组成一个高速动力

逆变器，适合于多种应用。

产品概述

N沟道

= 30V

= 3.4A （V

=10V)

DS （ ON）

< 60米

< 70米

< 90米

=10V)

=4.5V)

=2.5V)

P沟道

-30V

-2.3A （V

=-10V)

DS （ ON）

< 115米

< 150米

< 200米

(VGS=-10V)

(VGS=-4.5V)

(VGS=-2.5V)

TSOP6

顶视图

底部视图

顶视图

Pin1

N沟道

P沟道

单位

绝对最大额定值牛逼

= 25° ，除非另有说明

参数

符号

最大的n沟道

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

功耗

最大的p沟道

-30

±12

-2.3

-1.8

-15

1.15

0.73

=25°

=70°

=25°

=70°

, T

英镑

±12

3.4

2.7

1.15

0.73

-55到150

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

A D

最大结对铅

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

106

最大

110

150

单位

C / W

第6版： 2012年12月

www.aosmd.com

第1页9

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案