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AO6601_12 参数 Datasheet PDF下载

AO6601_12图片预览
型号: AO6601_12
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内容描述: 30V互补MOSFET [30V Complementary MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 482 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO6601
N沟道:典型的电气和热性能
10
V
DS
=15V
I
D
=3.4A
8
电容(pF)
400
500
V
GS
(伏)
6
300
C
国际空间站
4
200
C
OSS
100
C
RSS
2
0
0
6
9
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
3
12
0
0
15
20
25
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
5
10
30
100.0
1000
T
A
=25°C
10.0
100µs
1.0
10ms
1ms
0.1
功率(W)的
I
D
(安培)
R
DS ( ON)
有限
10µs
100
10
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
DC
10s
0.0
0.01
0.1
1
V
DS
(伏)
10
100
1
0.00001
0.001
0.1
10
1000
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值Junction-
到环境(注F)
图9 :最大正向偏置
安全工作区(注F)
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
Ĵ ,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
1
R
θJA
=150°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
0.1
0.01
单脉冲
P
D
T
on
T
100
1000
0.001
0.00001
0.0001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗(注F)
0.001
第6版: 2012年12月
www.aosmd.com
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