AO4922
FET2典型的电和热性能
60
50
40
I
D
(A)
30
2.5V
20
10
0
0
2
3
4
V
DS
（伏）
图1 ：在区域特征
1
5
V
GS
=2V
4
10V
4.5V
3V
16
V
DS
=5V
20
12
I
D
(A)
125°C
8
25°C
0
0
0.5
1.5
2
2.5
V
GS
（伏）
图2 ：传输特性
1
3
30
1.8
归一化的导通电阻
I
D
=6A
V
GS
=4.5V
V
GS
=4.5V
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
25
1.5
1.2
V
GS
=10V
I
D
=7.3A
20
V
GS
=10V
0.9
15
0
5
10
15
20
I
D
(A)
图3 ：导通电阻与漏电流和
栅极电压
60
55
50
45
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
125°C
I
D
=7.3A
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150 175
温度（℃）
图4 ：导通电阻与结
温度
1.0E+01
1.0E+00
125°C
1.0E-01
1.0E-02
35
1.0E-03
30
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
25°C
25
1.0E-04
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
20
25°C
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
1.0E-05
15
性能和可靠性，恕不另行通知。
1.0E-06
10
-1.2 -1.0 -0.8 -0.6 -0.4 -0.2 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
0
2
4
6
8
10
V
SD
（伏）
V
GS
（伏）
图6 ：体二极管的性能
图5 ：导通电阻与栅源电压
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
I
S
(A)
40
AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
