欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
会员中心
企业资讯   人才招聘  
电子百科

电子百科

Datasheet下载 IC品牌 缩略语 技术文章 IC型号

产品导航

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789
PDF
  • 产品
  • PDF

    • 最近搜索

    热门搜索

    搜索
    发布采购

    AO4922_11 参数 Datasheet PDF下载

    AO4922_11图片预览
    型号： AO4922_11
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 非对称双N沟道MOSFET [Asymmetric Dual N-Channel MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 244 K
    品牌： AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号AO4922_11的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AO4922_11的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AO4922_11的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AO4922_11的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AO4922_11的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AO4922_11的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AO4922_11的Datasheet PDF文件第8页  
    AO4922
    非对称双N沟道MOSFET
    SRFET
    概述
    该AO4922采用先进的沟槽技术
    提供了优秀的研发
    DS （ ON）
    和低栅极电荷。该
    两个MOSFET进行紧凑和高效的开关
    和同步整流器组合中使用的直流
    DC转换器。单片集成肖特基
    二极管并联同步MOSFET来
    进一步提高效率。
    TM
    产品概述
    FET1
    V
    DS
    (V) = 30V
    I
    D
    = 9A
    R
    DS （ ON）
    < 15.8mΩ
    R
    DS （ ON）
    < 18.5mΩ
    FET2
    V
    DS
    (V) = 30V
    I
    D
    =7.3A
    (V
    GS
    = 10V)
    <24mΩ
    (V
    GS
    = 10V)
    <29mΩ
    (V
    GS
    = 4.5V)
    100 ％ UIS测试
    100 ％通过Rg测试
    SOIC-8
    顶视图
    底部视图
    顶视图
    S1
    G1
    S2
    G2
    Pin1
    1
    2
    3
    4
    8
    7
    6
    5
    D1
    D1
    D2
    D2
    SRFET
    TM
    软恢复
    MOSFET ：
    集成肖特基二极管
    D1
    D2
    G1
    S1
    G2
    S2
    绝对最大额定值牛逼
    A
    = 25° ，除非另有说明
    C
    参数
    符号
    最大FET1最大FET2
    漏源电压
    V
    DS
    30
    30
    栅源电压
    连续漏极
    当前
    A
    漏电流脉冲
    雪崩电流
    B
    B
    B
    单位
    V
    V
    A
    V
    GS
    T
    A
    =25°
    C
    T
    A
    =70°
    C
    I
    帝斯曼
    I
    DM
    I
    AR
    E
    AR
    P
    帝斯曼
    T
    J
    , T
    英镑
    ±12
    9.0
    7.2
    40
    22
    73
    2.0
    1.3
    ±12
    7.3
    5.9
    40
    12
    22
    2.0
    1.3
    A
    mJ
    W
    °
    C
    重复雪崩能量L = 0.3mH
    T
    A
    =25°
    C
    功耗
    A
    T
    A
    =70°
    C
    结温和存储温度范围
    热特性FET1
    参数
    最大结点到环境
    A
    A
    最大结点到环境
    最大结对铅
    C
    -55〜 150 -55 〜150
    符号
    t
    ≤
    10s
    稳态
    稳态
    R
    θJA
    R
    θJL
    典型值
    48
    74
    32
    最大
    62.5
    90
    40
    单位
    °
    C / W
    °
    C / W
    °
    C / W
    热特性FET2
    参数
    A
    最大结点到环境
    最大结点到环境
    A
    最大结对铅
    C
    符号
    t
    ≤
    10s
    稳态
    稳态
    R
    θJA
    R
    θJL
    典型值
    48
    74
    32
    最大
    62.5
    90
    40
    单位
    °
    C / W
    °
    C / W
    °
    C / W
    阿尔法&欧米茄半导体有限公司

    IC37:专业IC行业平台

    专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

    网站导航 Datasheet资料库 电子术语 电子百科
    服务中心 常见问题 委托交易 会员服务
    关于我们 公司简介 联系我们 免责申明

    产品索引：ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

    深圳网络警察报警平台 公共信息安全网络监察 经营性网站备案信息 不良信息举报中心 工商网监电子标识 全国公安机关备案
    服务电话： 0755-32882616 0755-32882606 0755-32882608 0755-32882607 0755-32882615 值班和投诉电话：13715251531 ©2004-2024 IC37网 版权所有：ic37.com 版权申明 公网安备44030402000606 粤ICP备13051289号-6