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    AO4922_11 参数 Datasheet PDF下载

    AO4922_11图片预览
    型号： AO4922_11
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 非对称双N沟道MOSFET [Asymmetric Dual N-Channel MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 244 K
    品牌： AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号AO4922_11的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AO4922_11的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AO4922_11的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AO4922_11的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AO4922_11的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AO4922_11的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AO4922_11的Datasheet PDF文件第8页  
    AO4922
    FET1典型的电和热性能
    10
    3000
    2500
    电容（pF）
    V
    DS
    =15V
    I
    D
    =9A
    C
    国际空间站
    2000
    1500
    1000
    C
    RSS
    500
    0
    0
    5
    20
    25
    30
    35
    Q
    g
    （ NC ）
    图7 ：栅极电荷特性
    10
    15
    40
    0
    15
    20
    25
    V
    DS
    （伏）
    图8 ：电容特性
    5
    10
    30
    C
    OSS
    8
    V
    GS
    （伏）
    6
    4
    2
    0
    动力参数
    100.0
    10µs
    100µs
    10.0
    I
    D
    （安培）
    R
    DS （ ON）
    有限
    10s
    DC
    0.1
    T
    J（下最大）
    =150°C
    T
    A
    =25°C
    10ms
    1ms
    功率（W）的
    100
    90
    80
    70
    60
    50
    40
    30
    20
    10
    T
    J（下最大）
    =150°C
    T
    A
    =25°C
    1.0
    1s
    0.0
    0.01
    1
    10
    V
    DS
    （伏）
    图9 ：最大正向偏置安全
    工作区（注五）
    0.1
    100
    0
    0.0001
    0.01
    0.1
    1
    10
    100
    脉冲宽度（S ）
    Figure10 ：单脉冲功率额定值结点到
    环境（注E）
    0.001
    10
    Z
    θ
    JA
    归一化瞬时
    热阻
    D =吨
    on
    /T
    T
    Ĵ ，PK
    =T
    A
    +P
    DM
    .Z
    θJA
    .R
    θJA
    R
    θJA
    =62.5°C/W
    按降序排列
    D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
    1
    0.1
    P
    D
    T
    on
    单脉冲
    T
    0.01
    0.00001
    0.0001
    0.1
    1
    10
    脉冲宽度（S ）
    图11 ：归最大瞬态热阻抗（注五）
    0.001
    0.01
    100
    1000
    阿尔法&欧米茄半导体有限公司

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