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AO4447A 参数 Datasheet PDF下载

AO4447A图片预览
型号: AO4447A
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内容描述: 30V P沟道MOSFET [30V P-Channel MOSFET]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 5 页 / 194 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4447A
典型的电气和热特性
10
V
DS
=-15V
I
D
= -17A
电容(pF)
7000
6000
5000
4000
3000
2000
C
OSS
1000
C
RSS
0
0
20
40
60
80
100
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
0
0
5
10
15
20
25
30
-V
DS
(伏)
图8 :电容特性
C
国际空间站
8
-V
GS
(伏)
6
4
2
1000
100
-I
D
(安培)
10
1
DC
0.1
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
0.1
R
DS ( ON)
有限
40
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
10µs
100µs
1ms
10ms
100ms
10s
功率(W)的
30
20
10
0.01
0.01
I
F
= -6.5A ,的di / dt = 100A / μs的
1
10
100
-V
DS
(伏)
0
0.001
0.1
10
1000
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注F)
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注F)
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
1
D =吨
on
/T
T
Ĵ ,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=75°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
0.1
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
P
D
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
0.01
T
on
性能和可靠性,恕不另行通知。
单脉冲
T
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗(注F)
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
www.aosmd.com