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AO4447A 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AO4447A
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内容描述: 30V P沟道MOSFET [30V P-Channel MOSFET]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 5 页 / 194 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4447A
电气特性(T
J
= 25℃除非另有说明)
C
符号
参数
条件
I
D
= -250μA ,V
GS
= 0V
V
DS
=-30V, V
GS
= 0V
T
J
= 55°
C
V
DS
= 0V, V
GS
=±16V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250µA
V
GS
=-10V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ,我
D
=-17A
R
DS ( ON)
静态漏源导通电阻
T
J
=125°
C
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-15A
V
GS
= -4V ,我
D
=-13A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= -5V ,我
D
=-17A
I
S
=-1A,V
GS
= 0V
-0.8
-160
5.5
7
6.5
6.9
70
-0.62
-1
-3
4580
V
GS
=0V, V
DS
= -15V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
755
564
160
87
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ,我
D
=-17A
41
12.8
17
180
V
GS
=-10V, V
DS
=-15V
R
L
=-0.9Ω, R
=3Ω
I
F
= -17A ,的di / dt = 300A / μs的
260
1.2
9.7
32
77
40
210
105
5500
7
8.5
8
9
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
µs
µs
ns
nC
mΩ
-1.3
-30
-1
-5
±10
-1.6
典型值
最大
单位
V
µA
µA
V
A
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
( -10V )总栅极电荷
Q
g
( -4.5V )总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -17A ,的di / dt = 300A / μs的
答: R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°的
C.
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
C,
B.功耗P
D
是以T
J(下最大)
= 150 °使用
10秒结到环境的热阻。
C.重复评级,脉冲宽度有限的结温度T
J(下最大)
= 150 °评级是基于低频率和占空比,以保持
C.
初始的T
J
=25°
C.
D.第r
θJA
是的热阻抗,从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
E.图的静态特性1 〜6使用<300μs脉冲占空比0.5 %最大的获得。
#REF !
F.这些曲线是基于它利用安装在1英寸的设备结点到环境的热阻抗
2
FR- 4板
2盎司铜,假设T的最高结温
J(下最大)
= 150 °的SOA曲线提供了一个单脉冲ratin克。
C.
版本1 : 2010年11月
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
性能和可靠性,恕不另行通知。
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