AO4447A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO4447A
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内容描述：	30V P沟道MOSFET [30V P-Channel MOSFET]
分类和应用：	晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小：	5 页 / 194 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO4447A

30V P沟道MOSFET

概述

该AO4447A采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

低门charge.This

器件理想用于负载开关和电池保护

应用程序。

产品概述

(V) = -30V

= -17A

DS （ ON）

< 7米

DS （ ON）

< 8米

DS （ ON）

< 9米

ESD保护

100 ％ UIS测试

100 ％通过Rg测试

= -10V)

= -4.5V)

= -4V)

SOIC-8

顶视图

底部视图

绝对最大额定值牛逼

= 25° ，除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

=25°

=70°

, T

英镑

符号

≤

10s

稳定状态

θJA

θJL

典型值

最大

-30

±20

-17

-13

-160

3.1

2.0

-55到150

最大

单位

漏电流脉冲

=25°

功耗

=70°

结温和存储温度范围

参数

最大结点到环境

最大结对铅

单位

C / W

阿尔法&欧米茄半导体有限公司

www.aosmd.com

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