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APM9935KC-TR 参数 Datasheet PDF下载

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型号: APM9935KC-TR
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内容描述: 双P沟道增强型MOSFET [Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 116 K
品牌: ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
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APM9935K  
Typical Characteristics (Cont.)  
Drain-Source On Resistance  
Source-Drain Diode Forward  
1.8  
20  
10  
VGS = -4.5V  
IDS = -6A  
1.6  
Tj=150oC  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
Tj=25oC  
1
RON@Tj=25oC: 30mΩ  
0.4  
-50 -25  
0.1  
0
25 50 75 100 125 150  
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4  
Tj - Junction Temperature (°C)  
-VSD - Source-Drain Voltage (V)  
Capacitance  
Gate Charge  
5
2500  
2000  
1500  
1000  
500  
Frequency=1MHz  
VDS= -10V  
ID= -6A  
4
3
2
1
0
Ciss  
Coss  
Crss  
0
0
4
8
12  
16  
20  
0
4
8
12  
16  
20  
QG - Gate Charge (nC)  
-VDS - Drain-Source Voltage (V)  
Copyright ANPEC Electronics Corp.  
Rev. B.1 - Mar., 2005  
6
www.anpec.com.tw