APM9935KC-TR 参数 Datasheet PDF下载

型号：	APM9935KC-TR
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内容描述：	双P沟道增强型MOSFET [Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	10 页 / 116 K
品牌：	ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]

APM9935K

Typical Characteristics (Cont.)

Drain-Source On Resistance

Source-Drain Diode Forward

1.8

V_GS= -4.5V

I_DS= -6A

1.6

T_j=150^oC

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

T_j=25^oC

R_ON@T_j=25^oC: 30mΩ

0.4

-50 -25

0.1

25 50 75 100 125 150

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4

Tj - Junction Temperature (°C)

-VSD - Source-Drain Voltage (V)

Capacitance

Gate Charge

2500

2000

1500

1000

500

Frequency=1MHz

V_DS= -10V

I_D= -6A

Ciss

Coss

Crss

QG - Gate Charge (nC)

-VDS - Drain-Source Voltage (V)

Rev. B.1 - Mar., 2005

www.anpec.com.tw

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