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APM9935KC-TR 参数 Datasheet PDF下载

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型号: APM9935KC-TR
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内容描述: 双P沟道增强型MOSFET [Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 116 K
品牌: ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
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APM9935K  
Typical Characteristics  
Power Dissipation  
Drain Current  
2.5  
8
6
4
2
0
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
TA=25oC  
0.0  
TA=25oC,VG=-4.5V  
0
20 40 60 80 100 120 140 160  
0
20 40 60 80 100 120 140 160  
Tj - Junction Temperature (°C)  
Tj - Junction Temperature (°C)  
Safe Operation Area  
Thermal Transient Impedance  
2
1
50  
10  
Duty = 0.5  
1ms  
0.2  
0.1  
10ms  
0.1  
0.01  
1E-3  
0.05  
0.02  
1
0.1  
100ms  
1s  
0.01  
DC  
Single Pulse  
Mounted on 1in2 pad  
TA=25oC  
R
θJA : 62.5 oC/W  
0.01  
1E-4 1E-3 0.01  
0.1  
1 10 30  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
-VDS - Drain - Source Voltage (V)  
Square Wave Pulse Duration (sec)  
Copyright ANPEC Electronics Corp.  
Rev. B.1 - Mar., 2005  
4
www.anpec.com.tw