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APM2312A 参数 Datasheet PDF下载

APM2312A图片预览
型号: APM2312A
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内容描述: N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 154 K
品牌: ANPEC [ ANPEC ELECTRONICS COROPRATION ]
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APM2312
Typical Characteristics (Cont.)
Source-Drain Diode Forward Voltage
20
12
10
10
8
6
4
2
1
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
0
0.01
Single Pulse Power
I
S
-Source Current (A)
T
J
=150°C
T
J
=25°C
Power (W)
0.1
1
10
100
600
V
SD
-Source-to-Drain Voltage (V)
Time (sec)
Normalized Thermal Transient Impedence, Junction to Ambient
Normalized Effective Transient
Thermal Impedance
1
Duty Cycle=0.5
D=0.2
D=0.1
0.1
D=0.05
D=0.02
1.Duty Cycle, D=t1/t2
2.Per Unit Base=R
thJA
=100°C/W
3.T
JM
-T
A
=P
DM
Z
thJA
SINGLE PULSE
0.01
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (sec)
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. A.2 - July., 2003
5
www.anpec.com.tw