PI0256HSN ， PI0512HSN ， PI1024HSN
技术数据表
CLK
艺术
移位寄存器
EOS
QOUT
TD1
TD2
虚拟3
假1
虚拟2
VSS
图5的简化电路图HSN的光电二极管阵列。图中不包括所述电容器组
和抗晕光电路。
I / O引脚
除了VSS和VDD电源脚，有9个
功能活动的I / O引脚。只有两个时钟， CLK和
开始，需要进行控制的定时
传感器的视频读出。另外一个数字输入，
ADDCAP控制电容器组的描述
在上面的可选择充电容量部分。该
数字输出，EOS，标志着线扫描的结束。
电荷输出引脚， QOUT ，通常连接到
被偏置到V偏压电荷积分放大器
（见推荐工作条件部分
下文）。对于正常的防晕染操作， ABG
需要一个0.1 μF电容连接到VSS和
ABD也被偏置到V偏压。每个温度二极管
用一个小的恒定电流是正向操作
其偏置的PN结。通过测量正向偏置
电压，就可以跟踪在硅管芯温度。该
温度二极管可以通过连接被禁用
其阳极到VSS。这些I / O都列出了他们的
缩写代号和功能说明
下面的表1中。
表1.符号和功能和I / O引脚。
符号
VSS
VDD
开始
CLK
ADDCAP
EOS
QOUT
ABG
ABD
TD1
TD2
NC
功能及说明
地面上。
+5.0伏。
启动脉冲：输入开始行扫描。
时钟脉冲：输入到时钟的移位寄存器。
添加电容：输入用于选择电容器组，以增加充电容量。
端中扫描：从移位寄存器的输出以便表明完成一个线扫描的。
视频输出充电：从光电二极管像素输出。
防晕染门：自偏置门设置防晕染的水平。需要0.1 μF
连接到Vss 。
防晕染漏：偏置防晕染流失。设置为V偏压。
温度二极管1 ：温度二极管1的阳极。
温度二极管2 ：温度二极管2的阳极。
无连接
哑4
像素N-1
像素的1
像素2
像素ñ
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2002年3月13日
AMI [ AMI SEMICONDUCTOR ]
