PI0256HSN ， PI0512HSN ， PI1024HSN
技术数据表
2.5E-04
QE=80%
响应（C / J /平方厘米）
2.0E-04
1.5E-04
1.0E-04
5.0E-05
0.0E+00
100
QE=60%
QE=40%
QE=20%
电容器连接。当ADDCAP为低电平时，所有
电容器被断开。这是建议所有
光电二极管各自的切换之后复位
ADDCAP 。这可以简单地通过时钟1 lines-完成
可以将光电二极管阵列的。
防晕染电路
每个光电二极管像素已经内置了防晕染
电路结构。无抗晕光电路，它是
有可能是从一个多余电荷的一小部分
像素将流入相邻像素。反
盛开的电路可防止这种重定向过剩
目前进入防晕染的photodi-排前
颂太满。自偏置防晕染浇口套
在该充电开始流入所述水平
沥干。想想这样的方式。如果光电二极管是你
浴室水槽，那么防晕染电路会
您的接收器的溢出漏。
防晕染电路可以由地面被禁用
荷兰国际集团的抗晕门。这将有效提高
漏水平。
300
500
700
900
波长（nm ）
图4.预测光谱响应。
量子效率（ QE）可用下式计算
将所述响应通过传感器的面积
元件和由所得到的比值乘以
每个光子在电子伏特（ eV）的能量。
暗电流是通常为0.2 pA的在25℃和不同
作为温度的函数。暗电流将CON组
贡暗信号电荷而这些费用将
与积分时间呈线性增加。暗显
纳尔和光产生的信号相结合的结果
中的总信号电荷。
自扫描电路
图5示出一个简化的等效电
电路图光电二极管阵列的。一个MOS读
开关阵列中的每一个连接的光电二极管，以一个
共用输出视频行。入射的光子产生
被收集在每个成像电子电荷
光电二极管，而所述开关是打开的。移位寄存器
由起始脉冲启动。脉冲传播
通过每个移位寄存器级，并激活
MOS开关的阅读顺序。作为移位寄存器
依次关闭各读开关，负
存储的电荷，这是成比例的量的
光曝光，从相应的光电二极管是
读出到视频线， QOUT 。通常情况下，一个
外部充电积分放大器检测的阴性
从各photodi-视频线略去输出充电
颂像素。移位寄存器继续扫描
光电二极管中的序列，直到最后的移位寄存器
阶段是到达，在该时间的第四和最后一个虚设
象素被读出并最终的扫描（ EOS），输出被保持
高为一个时钟周期。下一次启动脉冲可再
重新启动移位寄存器。
可选的充电容量
的HSN的设备具有具有的独特特征
可选择的充电容量。有钙的银行
pacitors与一个电容器对每个光电二极管像素。
当所述电容器连接到所述photodi-
颂歌，他们给了光电二极管的充电容量
通常65电脑。这种大容量的充电是很有用
要求高动态范围和高的应用
信号 - 噪声比。随着电容断开
连接的，光电二极管具有一个固有的电荷
通常25 pC的能力。具有减小的电容
tance ，光电二极管阵列可具有较低操作
复位（的kTC ）噪声。
该ADDCAP销被提供给控制连接
的电容器。当ADDCAP高，所有的
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2002年3月13日
AMI [ AMI SEMICONDUCTOR ]
