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    PI0000HSN 参数 Datasheet PDF下载

    PI0000HSN图片预览
    型号： PI0000HSN
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 25微米间距宽孔径光谱光电二极管阵列 [25-μm-Pitch Wide Aperture Spectroscopic Photodiode Arrays]
    分类和应用： 光电二极管光电二极管
    文件页数/大小： 8 页 / 552 K
    品牌： AMI [ AMI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号PI0000HSN的Datasheet PDF文件第1页浏览型号PI0000HSN的Datasheet PDF文件第3页浏览型号PI0000HSN的Datasheet PDF文件第4页浏览型号PI0000HSN的Datasheet PDF文件第5页浏览型号PI0000HSN的Datasheet PDF文件第6页浏览型号PI0000HSN的Datasheet PDF文件第7页浏览型号PI0000HSN的Datasheet PDF文件第8页  
    PI0256HSN ， PI0512HSN ， PI1024HSN
    技术数据表
    2假
    像素
    25µm
    有效像素
    2假
    像素
    2500µm
    图2 。几何形状和光电二极管像素的布局。
    在正常操作过程中，光子事件或
    附近的NP结二极管产生自由电荷
    被收集和存储在所述结的损耗是
    电容。收集的电荷的数量是
    正比于光的曝光。图3示出了
    存储的信号电荷的光线照射在一个函数
    波长为575纳米。曝光的产品
    2
    的光强度在纳瓦/厘米和积分时间在
    秒。电荷的增加呈线性，直到达到
    荷兰国际集团的饱和电荷，以及相应的
    曝光是饱和曝光。有两种
    这在可选择的描述饱和极限
    下面的充电容量部分。
    的响应可以被计算为饱和
    通过充电饱和曝光分。预测
    -4
    2
    一光电二极管的典型的响应性是1.5× 10℃/焦耳/平方厘米
    在575纳米。图4显示了所预测的响应性
    的光电二极管作为波长的函数。
    80
    输出电荷（ PC）
    70
    60
    50
    40
    30
    20
    10
    0
    0
    100
    饱和帽
    饱和
    W / O型帽
    200
    300
    400
    500
    曝光（新泽西州/厘米
    2
    )
    图3.存储信号电荷的暴露在功能
    的575纳米的波长。
    第2页8
    2002年3月13日

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