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A43L8316V-10 参数 Datasheet PDF下载

A43L8316V-10图片预览
型号: A43L8316V-10
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内容描述: 128K ×16位×2组同步DRAM [128K X 16 Bit X 2 Banks Synchronous DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 45 页 / 1382 K
品牌: AMICC [ AMIC TECHNOLOGY ]
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A43L8316  
Page Write Cycle at Different Bank @Burst Length=4  
0
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8
9
10  
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16  
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18  
19  
CLOCK  
CKE  
High  
CS  
RAS  
CAS  
*Note 2  
RAa  
RAa  
CAa  
RBb  
RBb  
CBb  
CAc  
CBd  
ADDR  
BA  
A8/AP  
DQ  
DAa0 DAa1 DAa2 DAa3 DBb0 DBb1 DBb2 DBb3 DAc0 DAc1 DBd0 DBd1  
tCDL  
tRDL  
WE  
*Note 1  
DQM  
Row Active  
(B-Bank)  
Write  
(B-Bank)  
Precharge  
(Both Banks)  
Write  
(A-Bank)  
Row Active with  
(A-Bank)  
Write  
(A-Bank)  
Write  
(B-Bank)  
: Don't care  
* Note:  
1. To interrupt burst write by Row precharge, DQM should be asserted to mask invalid input data.  
2. To interrupt burst write by Row precharge, both the write and precharge banks must be the same.  
Preliminary (April, 2000, Version 1.0)  
28  
AMIC Technology, Inc.  
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