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    N04L1630C2B 参数 Datasheet PDF下载

    N04L1630C2B图片预览
    型号： N04L1630C2B
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4Mb的超低功耗异步SRAM的CMOS 256K 】 16位POWER SAVER科技TM [4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAMs 256K 】 16 bit POWER SAVER TECHNOLOGY TM]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 12 页 / 194 K
    品牌： AMI [ AMI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号N04L1630C2B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号N04L1630C2B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号N04L1630C2B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号N04L1630C2B的Datasheet PDF文件第6页浏览型号N04L1630C2B的Datasheet PDF文件第8页浏览型号N04L1630C2B的Datasheet PDF文件第9页浏览型号N04L1630C2B的Datasheet PDF文件第10页浏览型号N04L1630C2B的Datasheet PDF文件第11页  
    N04L1630C2B
    AMI Semiconductor, Inc.
    Timing of Read Cycle (CE1 = OE = V
    IL
    , WE = CE2 = V
    IH
    )
    t
    RC
    Address
    t
    AA
    t
    OH
    Advance Information
    Data Out
    Previous Data Valid
    Data Valid
    Timing Waveform of Read Cycle (WE=V
    IH
    )
    t
    RC
    Address
    t
    AA
    t
    HZ
    CE1
    t
    CO
    CE2
    t
    LZ
    t
    OE
    OE
    t
    OLZ
    t
    BE
    LB, UB
    t
    BLZ
    Data Out
    High-Z
    t
    BHZ
    Data Valid
    t
    OHZ
    (DOC# 14-02-042 ReI I ECN# 01-1374
    The specifications of this device are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.amis.com.

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