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A160CB12VF 参数 Datasheet PDF下载

A160CB12VF图片预览
型号: A160CB12VF
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内容描述: 16兆位(2M ×8位/ 1的M× 16位) CMOS 1.8伏只超低电压闪存 [16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Super Low Voltage Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 52 页 / 1031 K
品牌: AMD [ AMD ]
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D A T A S H E E T  
AC CHARACTERISTICS  
Erase/Program Operations  
Parameter  
Speed Options  
JEDEC  
tAVAV  
Std.  
tWC  
tAS  
Description  
Write Cycle Time (Note 1)  
-100  
-120  
120  
0
-150  
Unit  
ns  
Min  
Min  
Min  
Min  
Min  
100  
150  
tAVWL  
tWLAX  
tDVWH  
tWHDX  
Address Setup Time  
Address Hold Time  
Data Setup Time  
Data Hold Time  
ns  
tAH  
50  
50  
60  
60  
0
70  
70  
ns  
tDS  
ns  
tDH  
ns  
Read Recovery Time Before Write  
(OE# High to WE# Low)  
tGHWL  
tGHWL  
Min  
0
ns  
tELWL  
tWHEH  
tWLWH  
tWHWL  
tCS  
tCH  
CE# Setup Time  
Min  
Min  
Min  
Min  
Typ  
Typ  
0
ns  
ns  
ns  
ns  
CE# Hold Time  
0
tWP  
Write Pulse Width  
Write Pulse Width High  
50  
60  
30  
10  
12  
70  
tWPH  
Byte  
Programming Operation (Notes 1, 2)  
µs  
µs  
Word  
tWHWH1  
tWHWH1  
Accelerated Program Operation, Byte or Word  
(Note 2)  
Typ  
8
tWHWH2  
tWHWH2 Sector Erase Operation (Notes 1, 2)  
Typ  
Min  
Min  
Max  
2
50  
0
sec  
µs  
tVCS  
tRB  
VCC Setup Time  
Recovery Time from RY/BY#  
Program/Erase Valid to RY/BY# Delay  
ns  
tBUSY  
200  
ns  
Notes:  
1. Not 100% tested.  
2. See “Erase And Programming Performance” on page 46 for more information.  
38  
Am29SL160C  
21635C5 January 23, 2007  
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