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A160CB12VF 参数 Datasheet PDF下载

A160CB12VF图片预览
型号: A160CB12VF
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内容描述: 16兆位(2M ×8位/ 1的M× 16位) CMOS 1.8伏只超低电压闪存 [16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Super Low Voltage Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 52 页 / 1031 K
品牌: AMD [ AMD ]
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D A T A S H E E T  
AC CHARACTERISTICS  
Word/Byte Configuration (BYTE#)  
Parameter  
Speed Options  
JEDEC  
Std  
tELFL/ ELFH  
tFLQZ  
Description  
CE# to BYTE# Switching Low or High  
-100  
-120  
10  
-150  
Unit  
ns  
t
Max  
Max  
Min  
BYTE# Switching Low to Output HIGH Z  
BYTE# Switching High to Output Active  
50  
60  
60  
ns  
tFHQV  
100  
120  
150  
ns  
CE#  
OE#  
BYTE#  
tELFL  
Data Output  
(DQ0–DQ14)  
Data Output  
(DQ0–DQ7)  
BYTE#  
Switching  
DQ0–DQ14  
from word  
to byte  
Address  
Input  
DQ15  
Output  
mode  
DQ15/A-1  
BYTE#  
tFLQZ  
tELFH  
BYTE#  
Switching  
from byte  
to word  
Data Output  
(DQ0–DQ7)  
Data Output  
(DQ0–DQ14)  
DQ0–DQ14  
DQ15/A-1  
mode  
Address  
Input  
DQ15  
Output  
tFHQV  
Figure 15. BYTE# Timings for Read Operations  
CE#  
The falling edge of the last WE# signal  
WE#  
BYTE#  
tSET  
(tAS  
)
tHOLD (tAH  
)
Note: Refer to the Erase/Program Operations table for tAS and tAH specifications.  
Figure 16. BYTE# Timings for Write Operations  
Am29SL160C  
January 23, 2007 21635C5  
37  
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