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AS4LC4M16S0-10FTC 参数 Datasheet PDF下载

AS4LC4M16S0-10FTC图片预览
型号: AS4LC4M16S0-10FTC
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内容描述: 3.3V 4Mx16和8Mx8 CMOS同步DRAM [3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 24 页 / 548 K
品牌: ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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AS4LC4M16S0
AS4LC16M4S0
®
通用于所有波形AC参数
符号
参数
-75
CAS
延迟最小最大
15
20
20
44
66
1
2
1
1
3
2
3
2
3
2
7.5
10
5.4
6
2.7
3
2.5
2.5
1.5
0.8
1
3
2
0.8
1.5
0.8
1.5
0.8
1.5
6
6
-8
20
20
20
50
70
1
2
1
1
8
10
6
6
3
3
3
3
2
1
1
1
2
1
2
1
2
最大
7
7
20
20
20
50
70
1
2
1
1
10
15
6
6
3
3
3
3
2
1
1
1
2
1
2
1
2
-10F
最大
7
7
20
30
30
60
90
1
2
1
1
10
15
6
6
3
3
3
3
2
1
1
1
2
1
2
1
2
-10
最大
7
7
单位注
ns
ns
ns
ns
ns
CLK
CLK
CLK
CLK
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1
1
1
1
1
2
2
2
3
4
4
4,5,7
4,5,7
4,5,7
4,5,7
6
6
6
6
5
t
RRD
行有效至行主动延迟
t
RCD
RAS到CAS的延迟时间
t
RP
行预充电
t
RAS
行活动
tRC的行周期时间
t
CDL
在新列的最后一个数据
地址的延迟
t
RDL
在过去的数据来行预充电
t
BDL
在最后的数据以突发停止
t
CCD
列地址到列
地址的延迟
t
CK
CLK周期时间
t
AC
CLK到有效输出延迟50pF的@
t
OH
输出数据保持时间@ 50 pF的
t
CH
CLK高脉冲宽度
t
CL
CLK低脉冲宽度
t
AS
添加设置时间
t
AH
添加的保持时间
t
SLZ
CLK到在低Z输出
t
SHZ
CLK为高Z输出
t
长实
CKE保持时间
t
中正
CKE建立时间
t
CMH
t
CMS
CS , RAS , CAS,WE , DQM举行
时间
CS , RAS , CAS,WE , DQM设置
时间
t
DH
数据保持时间
t
DS
数据建立时间
8
半导体联盟
7/5/00