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    AS4LC4M16S0-10FTC 参数 Datasheet PDF下载

    AS4LC4M16S0-10FTC图片预览
    型号： AS4LC4M16S0-10FTC
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 3.3V 4Mx16和8Mx8 CMOS同步DRAM [3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
    文件页数/大小： 24 页 / 548 K
    品牌： ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
     浏览型号AS4LC4M16S0-10FTC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AS4LC4M16S0-10FTC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AS4LC4M16S0-10FTC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AS4LC4M16S0-10FTC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AS4LC4M16S0-10FTC的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AS4LC4M16S0-10FTC的Datasheet PDF文件第9页浏览型号AS4LC4M16S0-10FTC的Datasheet PDF文件第10页浏览型号AS4LC4M16S0-10FTC的Datasheet PDF文件第11页  
    ®
    AS4LC8M8S0
    AS4LC4M16S0
    I
    DD
    规格和条件
    (0° C
    ≤
    T
    A
    ≤
    70℃ ，V
    DD
    , V
    DDQ
    = +3.3V ± 0.3V)
    最大
    参数
    工作电流：主动模式;突发= 2;读或写操作;
    t
    RC
    = t
    RC
    （分钟） ; CAS延时= 3
    待机电流：掉电模式;所有银行闲置;
    CKE =低
    待机电流：主动模式; CKE =高; CS ＃ =高;所有
    银行吨后生效
    RCD
    满足;没有进行中的访问
    工作电流：突发模式;连拍;阅读或
    写;所有活动的银行; CAS延时= 3
    自动刷新电流： CKE =高;
    CS ＃ =高
    自刷新电流： CKE
    ≤
    0.2V
    t
    RFC
    = t
    RFC
    （分钟） ;
    CL = 3
    t
    RFC
    = 15.625ms ;
    CL = 3
    符号
    I
    DD1
    I
    DD2
    I
    DD3
    I
    DD4
    I
    DD5
    I
    DD6
    I
    DD7
    –75
    115
    2
    45
    140
    210
    50
    1
    –8
    95
    2
    35
    130
    210
    50
    1
    –10F/10
    95
    2
    35
    120
    190
    40
    1
    单位
    mA
    mA
    mA
    mA
    mA
    mA
    mA
    笔记
    4, 5
    4,5
    4, 5
    4,5
    4, 5
    4,5
    4,5
    笔记
    1 I
    DD
    规格设备的正确初始化后进行测试。
    2 I
    DD
    依赖于输出负载与时钟周期时间。值是在最短的周期时间和产出开放。
    3 I
    DD
    测试有V
    IL
    = 0V和V
    IH
    = 3V.
    4 I
    DD
    电流将会减小在较低的CAS等待时间。这是因为较低的等待时间，较低的时钟周期时间。
    5地址转换平均一种过渡每两个时钟周期。
    7/5/00
    半导体联盟
    7

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