AS4LC4M16S0
AS4LC16M4S0
®
COMMANDS
命令
注册
模式寄存器设置
自动刷新
刷新
条目
自
刷新退出
CKE
n-1
CKE
n
H
*
H
H
L
H
H
H
H
选择银行
所有银行
条目
出口
条目
预充电电源
Down模式
出口
写使能/输出
启用
禁止写入/输出
高-Z
L
H
H
H
L
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
L
H
L
CS
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
H
L
X
H
L
H
L
X
H
H
RAS
L
L
L
H
X
L
H
H
H
L
X
V
X
X
H
X
V
X
CAS
L
L
L
H
X
H
L
L
H
H
X
V
X
X
H
X
V
X
WE
L
H
H
H
X
H
H
L
L
L
X
V
X
X
H
X
V
X
H
X
X
X
X
7
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
DQM
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
V
X
–
–
–
–
V
V
V
L
H
L
H
X
L
H
X
X
BA0/
BA1
A10
A9–A0
–
–
–
–
行地址
COLUMN
地址
COLUMN
地址
X
X
有效
活跃
X
4
4,5
4
4,5
6
4
X
DQ
X
记
1,2
3
3
3
3
操作码
银行激活
读
写
突发停止
预充电
自动预充电禁用
自动预充电启动
自动预充电禁用
自动预充电启动
时钟暂停或
主动关机
DQM
没有操作命令
H
X
H
L
X
H
X
H
X
H
X
X
X
X
X
X
1
2
3
4
5
6
7
OP =操作码。
A0 〜 A11和BA0 〜 BA1程序键。
刘健只能发出时，所有银行预充电。新的命令可以刘健后发出1个时钟周期。
自动刷新功能类似于CBR DRAM刷新。然而，预充电是自动的。
所有银行预充电后自动/自刷新只能发出。
BA0 〜 BA1 ：银行选择地址。
如果A10 / AP是高的行预充电， BA0和BA1被忽略，所有的银行都被选中。
在读，写，行活跃， prechage ：
如果BA0和BA1低，银行A被选中。
如果BA0 =低和BA1 =高， B银行被选中。
如果BA0 =高和BA1 =低， C银行被选中。
如果BA0和BA1高，银行D被选中。
在突发的读/写自动预充电，不能发出新的读/写命令在同一银行。
一个新行激活命令后可T（ T为发行
RP
/t
CK
+ BL + ）周期。
突发停止命令在每一个突发长度有效。
DQM采样CLK的上升沿。数据项可能在每个CLK被掩蔽（收件DQM延迟为0）。
数据输出面膜是活动2 CLK周期发行后。 （读DQM潜伏期为2 ） 。
4
半导体联盟
7/5/00
ALSC [ ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
